近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化...
2024年4月9-11日，一年一度的化合物半导体行业盛会——2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会（简称“JFSC＆CSE”）将在武汉光谷科技会展中心举办。 尊敬的业界同仁： 老金沙9170官方诚...
2024年上海新国际博览中心-INVITATION-展位号：N2-2363全球半导体行业盛会SEMICON China2024将于2024年3月20-22日在上海新国际博览中心举行。届时，全球半导体行业超1000家展商将携手共聚，带来一场精彩纷呈的科...
一元复始 万象更新 大年初九 开工大吉新征途、新气象、新希望坚定信心、事业新启2024 再创辉煌
时序更替，岁物丰成。时光匆匆而过，忙碌而充实的一年告一段落。为了庆贺2023的丰硕成果，同时奏响2024的崭新乐章，集团公司及各子公司副总悉数到场共同出席年终总结暨表彰大会。过去一年，公司上下齐心协力，用...
SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。SiC 是一种二元化合物，其中 Si-Si 键原子间距为3.89 Å，这个间距如何理解呢？...
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